|
Tip fișier:
|
txt
|
|
Mărime fișier:
|
849 bytes (849 bytes)
|
|
Data creare:
|
13/03/2017 05:07:51
|
|
Ultima modificare:
|
28/12/2012 20:26:44
|
|
Ultima accesare:
|
05/05/2024 04:59:14
|
|
Cod MD5:
|
6aa45116cbb002896329f335da92acca}
|
|
Download-uri:
|
58
|
Preview
Un tranzistor nMOS cu VT=2V si kn=1mA/V2 are poarta si sursa legate la masa. Curentul de drena al tranzistorului este:
A) ID=0mA;
B) ID=1mA;
C) ID=2mA;
D) ID=4mA.
(6p) LD Latimea regiunii de sarrcina spatiala pentru o jonctiune pn:
A) este o constanta de material
B) scade cu cresterea tensiunii de polarizare directa
C) scade cu cresterea tensiunii de polarizare inversa
D) creste cu cresterea tensiunii de polarizare directa
(6p) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)
E 1
B 0,7
C 0
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) saturatie
C) RAI
D) blocare
(6p) LC Tensiunea VT la TEC-J este:
A) pragul dintre blocare si conductie
B) tensiunea de prag
C) tensiunea de saturatie
D) tensiunea de strapungere